5 db IRF540N MOSFET tranzisztor 100V 33A 130W TO220
Márka: satkit
ÁFA-val (ÁFA nélkül: Ft553)
Az 5 db IRF540N MOSFET tranzisztor 100V 33A 130W TO220 csomag N-csatornás MOSFET tranzisztorokból áll, amelyeket olyan elektronikai alkalmazásokhoz terveztek, ahol nagy hatékonyságra, valamint nagy áram- és feszültségkezelési képességre van szükség.
Fő jellemzők:
- Kategória: N-Channel MOSFET
- Maximális feszültség: 100V
- Maximális áram: 33A
- Belső ellenállás (Rds(on)): 44mΩ
- Gate feszültség: 20V
- Kapcsolási idő: 35ns (emelkedés és esés)
- Teljesítménydisszipáció: 130W
- Tokozás: TO-220
- Működési hőmérséklet-tartomány: -55°C a 175°C
Tipikus felhasználás:
- Elektromos motorok vezérlése DIY és professzionális projektekben.
- Teljesítményerősítők és kapcsolóüzemű tápegységek.
- Nagy áramú terhelésekhez használt elektronikus kapcsolók.
- Robotikai és beágyazott rendszerek, ahol nagy hatékonyság szükséges.
Kompatibilitás: Ez a tranzisztor kompatibilis azokkal az áramkörökkel, amelyek az elektromos specifikációin belül működnek, különösen olyan projektekben, amelyek nagy áram- és feszültségkezelésű N-csatornás MOSFET-et igényelnek.
Az 5 darabos csomag lehetővé teszi tartalék alkatrészek biztosítását vagy több áramkör egyidejű megvalósítását, miközben a TO-220 tokozás megbízható és tartós működést biztosít a könnyebb hőelvezetés révén.
- 5 db IRF540N N-csatornás MOSFET tranzisztor
- 100V maximális feszültség igényes alkalmazásokhoz
- 33A maximális áram nagy terhelésekhez
- 44mΩ alacsony belső ellenállás a hatékony működésért
- 130W teljesítménydisszipáció hosszabb használathoz
- TO-220 tokozás a jobb hőelvezetésért
- 35ns gyors kapcsolási idő
- -55°C és 175°C közötti üzemi hőmérséklet
Vásárlói kérdések és válaszok
Milyen beszerelési óvintézkedések szükségesek a túlmelegedés vagy túláram okozta károk elkerüléséhez az IRF540N esetében?
A károk elkerüléséhez elengedhetetlen a megfelelő hőelvezetés biztosítása, megfelelő hűtőborda használatával, ha a disszipáció meghaladja a 2 W-ot, valamint a határértékek betartása: max. 100 V drain-source, 33 A folyamatos áram és 130 W teljesítmény. Emellett kerülni kell a 20 V-os gate-feszültséget meghaladó csúcsokat, és a beszerelés előtt ESD-védelemről is gondoskodni kell.
Milyen vezérlőjelekhez és logikai áramkörökhöz kompatibilis az IRF540N gate-je?
Az IRF540N-hez általában legalább 10 V gate-feszültség szükséges a hatékony vezetéshez, bár 2–4 V-ról (Vgs(th)) már elkezdhet kapcsolni. Jól működik MOSFET driverrel vagy illesztőfokozattal rendelkező logikai áramkörökkel; 3,3 V-os mikrokontrollerekhez közvetlenül nem ajánlott köztes driver nélkül csatlakoztatni.
Milyen védelmi vagy biztonsági előírásoknak kell megfelelnie ezeknek a MOSFET-eknek ipari rendszerekben?
Ipari rendszerekben a beszerelésnek túlterhelés elleni védelemmel kell rendelkeznie (biztosíték vagy megszakító), átmeneti túlfeszültség-csillapítással (flyback dióda vagy varisztor), valamint meg kell felelnie az olyan szabványoknak, mint az IEC 60950 (elektromos biztonság) és az ESD-védelem, hogy a biztonságos működés és az alkatrész tartóssága biztosított legyen.
Mire használható az IRF540N MOSFET tranzisztor?
Az IRF540N egy N-csatornás MOSFET tranzisztor, amelyet nagy áramú és feszültségű elektromos terhelések vezérlésére használnak elektronikus áramkörökben, például motoroknál, erősítőknél és tápegységeknél.
Hány darabot tartalmaz ez a csomag?
Ez a csomag 5 darab IRF540N MOSFET tranzisztort tartalmaz.
Milyen tokozású az IRF540N?
Az IRF540N TO-220 tokozásban érkezik, amely megkönnyíti a hőelvezetést és az áramkörökbe való beépítést.
Mekkora a tranzisztor maximális feszültsége és árama?
A tranzisztor maximális feszültsége 100V, maximális árama pedig 33A.
Alkalmas nagy teljesítménydisszipációt igénylő projektekhez?
Igen, ez a tranzisztor legfeljebb 130W teljesítménydisszipációra képes, így ideális nagyobb teljesítményű alkalmazásokhoz.